double-base transistor

См. также в других словарях:

• Transistor unijonction — Symbole de l UJT. Un transistor unijonction (souvent appelé UJT, d après le sigle anglais) est une sorte de transistor qui n est composé que d une seule jonction. Il est aussi appelé aussi Diode à double base , le transistor unijonction est un… …   Wikipédia en Français

• Transistor de Darlington — Transistor Darlington Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces deux… …   Wikipédia en Français

• Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

• Transistor Darlington — Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces deux transistors sont souvent… …   Wikipédia en Français

• Double subscript notation — In engineering, double subscript notation is notation used to indicate some variable between two points (each point being represented by one of the subscripts). In electronics, the notation is usually used to indicate the direction of current or… …   Wikipedia

• Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement …   Wikipédia en Français

• Diffusion transistor — A diffusion transistor is any transistor formed by diffusing dopants into a semiconductor substrate. Diffusion transistors include some types of both bipolar junction transistors and field effect transistors. The diffusion process was developed… …   Wikipedia

• Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

• Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

• History of the transistor — Invention of the transistor= The first patent [patent|US|1745175|Julius Edgar Lilienfeld: Method and apparatus for controlling electric current first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a MESFET] for the field effect… …   Wikipedia

• Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… …   Wikipedia